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芯片设计概念
芯片设计概念 — iEDA 开源文档与工程实践。
本目录内容
01
1 预备知识：三极管
闩锁效应用一句话来讲，即：如果芯片中出现了某种寄生结构，某种触发机制会使得电源轨之间形成低阻抗路径，从而形成的大电流损坏正常的电路功能部分。PNPN结构是形成闩锁效应的一种寄生结…
024.2 IR压降分析
在本文中，我们将讨论 ASIC 设计中 IR 压降是什么，为什么会出现 IR 压降问题，IR 压降的影响是什么，以及如何分析和预防 IR 压降问题。
034.3 天线效应
MOS晶体管的栅氧化物是MOS器件中最敏感的部分。在ASIC的制造过程中需要特别小心，以保护它免受制造过程和ASIC运行过程中的任何损坏。天线效应是一种现象，可能会在制造过程中对…
044.4 电迁移效应
电迁移是集成电路设计中一个十分关键的问题，特别是在技术节点较低的情况下，由于金属互连的横截面积变得非常小，电迁移效应（electro-migration effect）变得愈发显…
054.5 信号完整性与串扰效应
根据Collett International Research Inc.的研究显示，约五分之一的芯片因为信号完整性问题而失败，这个数据可不是闹着玩的！这就让我们不得不深入探讨V…
064.6 Crosstalk
在前一篇文章中，我们已经讨论了信号完整性、串扰、串扰机制以及与互连相关的寄生电容。在本文中，我们将讨论串扰的影响。串扰有两个主要影响：
074.7 理解和应对OCV
在物理设计中，OCV是指芯片内部电路实际性能与标准预期性能之间的差异。简单来说，OCV描述了芯片内不同区域之间的电性能变化情况。这种变化可能是由于制造过程中的不完美或环境条件的波…
084.8 OCV、AOCV和POCV对比
在本文中，对OCV（芯片上的变异）、AOCV（高级芯片上的变异）和POCV（参数化芯片上的变异）进行了比较研究。文章还讨论了为什么以及如何新的变异模型相对于之前的模型有所改进，并…